陶瓷靶材_上海中科神光光电产业有限公司

陶瓷靶材是物理气相沉积（PVD）或磁控溅射等工艺中，用来被高能粒子轰击，从而在基板上沉积出特定功能薄膜的陶瓷材料源，是芯片、显示器等现代电子工业中几乎是不可或缺的材料，具有高纯度、高致密度、成分和结构分布均匀的特点。高纯度是保证沉积薄膜性能稳定的基础，杂质会成为薄膜散射和吸收中心，严重降低薄膜的光学或电学性能，纯度通常要求99.95%或更高；靶材致密度越高，气孔就越少，在溅射中不容易发生打火或者微粒飞溅(导致薄膜缺陷)；靶材成分分布均匀可以确保薄膜厚度和性能的均匀性。

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陶瓷靶材

陶瓷靶材是物理气相沉积（PVD）或磁控溅射等工艺中，用来被高能粒子轰击，从而在基板上沉积出特定功能薄膜的陶瓷材料源，是芯片、显示器等现代电子工业中几乎是不可或缺的材料，具有高纯度、高致密度、成分和结构分布均匀的特点。高纯度是保证沉积薄膜性能稳定的基础，杂质会成为薄膜散射和吸收中心，严重降低薄膜的光学或电学性能，纯度通常要求99.95%或更高；靶材致密度越高，气孔就越少，在溅射中不容易发生打火或者微粒飞溅(导致薄膜缺陷)；靶材成分分布均匀可以确保薄膜厚度和性能的均匀性。

材料	纯度	最大尺寸	致密度
Al₂O₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
BaFexOy	4N	Dia80×8mm	＞80%
BaTiO₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
Ba_xSr_(1-x)TiOy	4N	Dia80×8mm	＞80%
BaZrO₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
Bi_xY_yFe₅O₁₂	3.5N	Dia80×8mm	70-80%
BiFeO₃	3.5N	Dia100×8mm	＞80%
CeO₂	4N	Dia100×8mm	＞80%
Ce_xY_yFe₅O₁₂	3.5N	Dia80×8mm	70-80%
Dy₃Fe₅O₁₂	4N	Dia80×8mm	70-80%
Gd₃Fe₅O₁₂	4N	Dia80×8mm	70-80%
Tm₃Fe₅O₁₂	4N	Dia80×8mm	70-80%
Y₃Fe₅O₁₂	4N	Dia80×8mm	70-80%
ITO	4N	Dia100×8mm	＞80%
NiFe₂O₄	3.5N	Dia100×8mm	＞80%
MgO	4N	Dia100×8mm	＞80%
PZT	4N	Dia100×8mm	＞80%
PbZrO₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
PbTiO₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
SrTiO₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
Sr₃Al₂O₆	4N	Dia100×8mm	＞80%
La_xSr_yMnO₃	4N	Dia80×8mm	70-80%
La_xCa_yMnO₃	4N	Dia80×8mm	70-80%
La_xSr_yCuO₃	4N	Dia80×8mm	70-80%
La_xCa_yCuO₃	4N	Dia80×8mm	70-80%
La_xSr_yCoO₃	4N	Dia80×8mm	70-80%
SrRuO₃	4N	Dia80×8mm	＞60%
TiO₂	4N	Dia100×8mm	＞80%
YSZ	4N	Dia100×8mm	＞80%
ZnO	4N	Dia100×8mm	＞80%
Y₂O₃	4N	Dia100×8mm	＞80%
YBa₂Cu₃O₇	4N	Dia80×8mm	＞80%
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