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氮化镓(GaN)

氮化镓‌(GaN) GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高等特性，使得GaN功率器件具备高频、高效、低导通损耗、高功率密度等显著优势，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料...

氧化锌(ZnO)

氧化锌ZnO氧化锌(ZnO)具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料，具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能。独特的性质使其在光电子器件（如发光二极管、激光...

碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）

碳化硅SiC碳化硅晶片是由碳和硅制备成的宽禁带半导体单晶薄片，主要作为衬底使用，其具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特性。根据电阻率不同，可分为导电型和半绝缘型。导电型碳化硅晶片主要用...

磷化铟(InP )

磷化铟(InP )

磷化铟(InP )磷化铟(InP)单晶材料是第二代Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，因其卓越的高频、光电性能，成为 5G 通信、光模块及毫米波器件的核心衬底材料。InP作为 1.3μm 和 1...

锑化镓(GaSb)

锑化镓(GaSb)

锑化镓(GaSb) 锑化镓（GaSb）晶体‌是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，具有窄禁带宽度、高电子迁移率以及与InAs、AlSb等材料良好的晶格匹配特性，使其在中红外光电子器件、高速电子器件和...

砷化铟(InAs)

砷化铟(InAs)

砷化铟 InAs砷化铟 (InAs) 是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其极高的电子迁移率和窄带隙特性，在红外光电子领域和高频器件应用中占据核心地位。以 InAs 单晶为衬底可以生长 ...

砷化镓(GaAs)

砷化镓(GaAs)

砷化镓（GaAs）砷化镓（GaAs）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，因其优异的电子迁移率、直接带隙、高频及耐辐射等特性，被广泛应用于覆盖了从民用通信到国防航天的高科技领域。砷化镓...

锗(Ge)

锗(Ge)锗(Ge)单晶是一种重要的红外光学和半导体材料，具有高折射率、优异的红外透过性能和良好的机械强度等特点。锗单晶广泛应用于制发光二极管（LED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器...

硅(Si)

硅Si硅(Si) 通过直拉法或区熔法等工艺制成单晶硅棒，再经切片、研磨、抛光等工序加工而成，是半导体产业链的核心基础材料，通常由高纯度单晶硅制成。根据加工深度和结构，硅片主要可分为抛光片、外延片、退火...