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氮化镓(GaN)
GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高等特性，使得GaN功率器件具备高频、高效、低导通损耗、高功率密度等显著优势，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
性能参数Specifications | |||
分子式 | GaN | ||
晶体结构 | 纤锌矿型六方晶系 P6₃mc | ||
晶胞参数 | a ≈ 3.19 Å,c ≈ 5.19 Å | ||
熔点 | 1700℃ | ||
密度 | 6.1 g/cm3 | ||
生长方法 | HPVE（氢化物气相外延） | ||
莫氏硬度 | 8-9 | ||
禁带宽度 | 3.4eV | ||
热导率 | 130W/(m·K) | ||
导电类型 | N-type（掺Si） | 非掺 | Semi-Insulating（掺Fe） |
电阻率 | < 0.02 Ω·cm | < 0.5·cm | >106 Ω·cm |
电子迁移率 | 2000cm²/(V·s) | ||
饱和漂移速度 | 2.2×10⁷cm/s | ||
晶向及公差 | <0001>±0.5° | ||
参考边晶向及公差 | <1-100>±1° | ||
尺寸 | 5*5mm，10*10mm，20*20mm，Ø50.8，Ø100 | ||
厚度 | 0.3mm，0.65mm | ||
位错密度 | ≤ 5x106 cm-2 | ||
有效面积 | ≥90% | ||
