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铝酸镁钪（ScMgAlO4）
铝酸镁钪（ScMgAlO4）晶体, 一种专门为GaN和ZnO外延生长开发的新型衬底材料。它的核心优势在于与这些功能薄膜的晶格失配度极低，远低于蓝宝石等传统衬底。其与氮化镓（GaN）的晶格失配率约为+1.8%，与氧化锌(ZnO)的晶格失配率仅约 +0.09%，是目前与ZnO晶格最匹配的衬底材料之一。同时具备独特的自剥离特性，用它作衬底可以显著降低外延薄膜中的位错和缺陷密度，从而大幅提升发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等光电器件的性能和寿命。
主要性能参数 | |
晶体结构 | 六方 |
晶格常数 | a = 3.246 Å， c = 25.195Å，具有菱形六面体层状结构 |
熔点（℃） | >1950 |
密度 | 3.64（g/cm3） |
硬度 | 4-5（mohs） |
与GaN失配率 | 1.8% |
与ZnO失配率 | 0.09% |
热膨胀系数 | <100>：6.2×10-6/℃； <001>：12.2×10-6/℃ |
热导率 | 3.7 W/m·K@25℃ |
禁带宽度 | 6.29 ev |
透光范围 | 193–1690 nm宽波段范围内高度透明。 |
晶向 | <0001> |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
尺寸 | 5x5，10x10，15x15，20x20，Ф1″或按要求定制 |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
主要衬底材料与GaN及ZnO的晶格失配率
衬底材料 | ScAlMgO4 (0001) | ZnO (0001) | SiC (0001) | β-Ga2O3 (100) | Al2O3 (0001) | Si (111) |
与GaN失配 | +1.8% | +2.3% | -3.5% | +5% | -13% | +16.9% |
与ZnO失配 | +0.09% | --- | -5.2% | -6.5% | -18.4% | +40.1% |
