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铝酸锂（LiAlO₂）
铝酸锂（LiAlO₂）晶体因其与氮化镓（GaN）的晶格失配率极低(1.4%)，远低于蓝宝石等传统衬底，同时具有高热导性及匹配的热膨胀系数，高稳定性和多功能性，意味着在其上生长的GaN薄膜晶体质量更高、缺陷更少，从而提升LED、激光器等器件的性能和寿命，广泛用于制备蓝光LED、高电子迁移率晶体管（HEMT）、微波射频器件和深紫外光电器件，可显著降低外延层缺陷密度，提升器件效率与寿命（较蓝宝石衬底提升3–5倍）。
主要性能参数 | |
晶体结构 | 四方 |
晶格常数 | a=5.17 A，c=6.26 A |
熔点（℃） | 1750±20 |
密度 | 2.62（g/cm3） |
硬度 | 7.5（mohs） |
与GaN失配率 | 1.4% |
热膨胀系数 | <100>：17.24*10-6/K； <001>：10.77*10-6/K |
热导率 | 14 W/m·K |
禁带宽度 | 4.63 ev |
晶向 | ＜100＞， ＜001> |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
尺寸 | 5x5，10x10，15x15，20x20，Ф1″，Ф2″或按要求定制 |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
