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NdGaO3
镓酸钕(NdGaO3)
  • NdGaO3是近年发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。
产品介绍

镓酸钕(NdGaO3)

NdGaO3是近年发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。

主要性能参数

晶体结构

正交 Pbnm

晶胞参数Å

a=5.43b=5.50c=7.71

熔点

1600℃

密度

7.57g/cm3

介电常数

25

生长方法

提拉法

尺寸

5x510x510x1015x1520x20

厚度

0.5mm1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<100>,  <001> <010><110>,  111

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

(特殊要求可达以内)

Ra:

≤5Å5µm×5µm

包装

100级洁净袋,1000级超净室

2θ   d()   I(f)  ( h k l)      θ  1/(2d)   2π/d  n^2 

19.992  4.4378    0.5  ( 1 0 1)   9.996  0.1127  1.4158    

23.007  3.8625   10.1  ( 1 1 0)  11.504  0.1294  1.6267    

23.059  3.8539    6.3  ( 0 0 2)  11.530  0.1297  1.6303    

25.779  3.4532    6.5  ( 1 1 1)  12.889  0.1448  1.8195    

32.546  2.7490   22.4  ( 0 2 0)  16.273  0.1819  2.2857    

32.801  2.7282  100.0  ( 1 1 2)  16.401  0.1833  2.3031    

32.979  2.7138   23.7  ( 2 0 0)  16.490  0.1842  2.3153    

34.615  2.5892    4.8  ( 0 2 1)  17.308  0.1931  2.4267    

36.614  2.4524    0.1  ( 1 2 0)  18.307  0.2039  2.5621    

36.908  2.4335    0.2  ( 2 1 0)  18.454  0.2055  2.5820    

38.491  2.3369    0.2  ( 1 2 1)  19.246  0.2140  2.6887    

38.745  2.3222    0.6  ( 1 0 3)  19.372  0.2153  2.7057    

38.773  2.3206    2.0  ( 2 1 1)  19.387  0.2155  2.7076    

40.265  2.2380    7.1  ( 0 2 2)  20.133  0.2234  2.8075    

40.627  2.2189    8.2  ( 2 0 2)  20.313  0.2253  2.8317    

42.210  2.1392    2.5  ( 1 1 3)  21.105  0.2337  2.9371    

43.716  2.0690    0.4  ( 1 2 2)  21.858  0.2417  3.0368    

43.970  2.0576    0.3  ( 2 1 2)  21.985  0.2430  3.0536    

47.014  1.9313   24.9  ( 2 2 0)  23.507  0.2589  3.2534    

47.125  1.9270   14.1  ( 0 0 4)  23.562  0.2595  3.2607    

48.457  1.8771    2.7  ( 0 2 3)  24.228  0.2664  3.3474    


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