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锑化镓(GaSb)

锑化镓(GaSb)

锑化镓(GaSb) 锑化镓（GaSb）晶体‌是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，具有窄禁带宽度、高电子迁移率以及与InAs、AlSb等材料良好的晶格匹配特性，使其在中红外光电子器件、高速电子器件和...

砷化铟(InAs)

砷化铟(InAs)

砷化铟 InAs砷化铟 (InAs) 是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其极高的电子迁移率和窄带隙特性，在红外光电子领域和高频器件应用中占据核心地位。以 InAs 单晶为衬底可以生长 ...

砷化镓(GaAs)

砷化镓(GaAs)

砷化镓（GaAs）砷化镓（GaAs）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，因其优异的电子迁移率、直接带隙、高频及耐辐射等特性，被广泛应用于覆盖了从民用通信到国防航天的高科技领域。砷化镓...

锗(Ge)

锗(Ge)锗(Ge)单晶是一种重要的红外光学和半导体材料，具有高折射率、优异的红外透过性能和良好的机械强度等特点。锗单晶广泛应用于制发光二极管（LED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器...

硅(Si)

硅Si硅(Si) 通过直拉法或区熔法等工艺制成单晶硅棒，再经切片、研磨、抛光等工序加工而成，是半导体产业链的核心基础材料，通常由高纯度单晶硅制成。根据加工深度和结构，硅片主要可分为抛光片、外延片、退火...

溴化钾(KBr)

溴化钾（KBr）溴化钾(KBr)晶体凭借超宽红外透过波段（0.23-25μm）和易潮解、水溶性两大核心特性，广泛应用于红外光谱分析与光学元件以及薄膜衬底领域。作为制造红外光学元件的传统材料，KBr被加...

氯化钾(KCl)

氯化钾（KCl）氯化钾（KCl）单晶是一种重要的红外光学晶体材料。它的核心优势在于极宽的光谱透过范围和极低的光学吸收，尤其适合用作高功率红外激光器的窗口材料。KCl对10.6μm波长的激光吸收极低，并...

氯化钠（NaCl）

氯化钠（NaCl）

氯化钠（NaCl）氯化钠（NaCl）质地均匀，光亮透明，无杂质吸收，对红外线具有较高透明性，在0.25-22μm波段具有优异的透过率，透过率大于90%，是制造红外光学元件的传统材料；同时作为光学级晶体...

铝酸镁钪 ScMgAlO4

铝酸镁钪 ScMgAlO4

铝酸镁钪（ScMgAlO4）铝酸镁钪（ScMgAlO4）晶体, 一种专门为GaN和ZnO外延生长开发的新型衬底材料。它的核心优势在于与这些功能薄膜的晶格失配度极低，远低于蓝宝石...

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