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磷化铟InP
磷化铟InP单晶材料是第二代Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，具有闪锌矿结构，因其卓越的高频、光电性能，成为 5G 通信、光模块及毫米波器件的核心衬底材料。InP作为 1.3μm 和 1.55μm 波长激光器、探测器(APD)的关键衬底，是光纤通信和数据中心光模块的核心材料。作为生产光通讯中激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，可以实现光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。InP具有电子迁移率高的特性，适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面，在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用。
主要性能参数 | ||||
晶体结构 | 立方晶系（闪锌矿结构） | |||
晶胞参数 | 5.8687 A | |||
熔点 | 1070°C（常压下分解）；1600 °C(>2.75 MPa) | |||
生长方法 | 垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）/传统液封直拉技术（LEC） | |||
密度 | 4.79（g/cm3） | |||
莫式硬度 | 5 | |||
热膨胀系数 | 4.56 × 10⁻⁶ /K@298K；6 × 10⁻⁶ /K@800K | |||
热导率 | 0.68 W/(cm·K) | |||
比热容 | 0.31 J/g·K@298K | |||
禁带宽度 | 1.344 eV@300K | |||
折射率 | 3.45 - 3.55 (近红外波段) | |||
介电常数 | 12.5 | |||
光吸收边 | 约 920 nm（近红外） | |||
类 型 | SI | N | P | N |
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺S | 掺Zn | 掺Fe |
电 阻 率Ω.cm | 5×10⁻³至1×10³ | 0.6-2.5*10-3 | 1-10*10-3 | 5*106-2*107 |
载流子浓度/cm3 | (0.3-3)×10¹⁶ | (0.8-8)´1018 | (0.6-8) ´1018 | 107-108 |
迁移率cm2/(V.s) | 3500-4500 | 1000 - 2400 | 50 - 100 | >2000 |
典型用途 | 外延缓冲层，基础研究 | 发光二极管(LED)、激光器衬底 | 激光器P区、探测器 | 射频(RF)器件、微波集成电路(MMIC) |
EPD | ≤1000∕cm2 | |||
尺寸 | 5x5mm、10×5mm、10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、 Dia76.2mm，Dia100mm | |||
厚度 | 0.35mm、0.625mm | |||
尺寸公差 | <±0.2mm | |||
厚度公差 | <±0.025mm | |||
抛光 | 单面或双面 | |||
晶面定向精度 | ±0.5° | |||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | |||
取向 | <100> | |||
粗糙度 | Ra< 0.5nm | |||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | |||
