微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部
AlN陶瓷基片
主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。
特点：热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。
| 型号 | 密度 | 热导率 | 热胀 系数 | 耐电 强度 | 介电 系数 | tgδ | 体电 阻率 | 抗折 强度 |
| SD5111 | >3.20 | 80~100 | <4.5 | >15 | 9.0 | 3~10 | >1013 | >20 |
| SD5113 | >3.25 | 100~130 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >25 |
| SD5115 | >3.25 | 140~170 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >28 |
| SD5116 | 3.26 | >170 | <4.2 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >30 |
