微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部

氮化铝陶瓷片

氮化铝陶瓷片

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技术参数

  AlN陶瓷基片

  主要应用于:高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。

  特点:热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。

  

型号

密度

热导率

热胀

系数

耐电

强度

介电

系数

tgδ

体电

阻率

抗折

强度

SD5111

>3.20

80~100

<4.5

>15

9.0

3~10

>1013

>20

SD5113

>3.25

100~130

<4.3

>15

8.7

3~7

>1014

>25

SD5115

>3.25

140~170

<4.3

>15

8.7

3~7

>1014

>28

SD5116

3.26

>170

<4.2

>15

8.7

3~7

>1014

>30

 

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