上海中科神光光电产业有限公司
光电材料事业部
铌酸锂晶体广泛应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡、1064nm激光的倍频，以及四倍频相位匹配装置等方面。如：SAW滤波器、Q-开关、电光调光器、参量振荡器 ,掺有Mg:O的LN晶体，其抗损阈值比纯LN晶体提高了一倍以上。
| 主要性能参数 | |||
| 生长方法 | 提拉法 | ||
| 晶体结构 | 三方 | ||
| 晶格常数 | a=b=5.148Å c=13.863 Å | ||
| 熔点（℃） | 1250 | ||
| 居里温度 | 1140℃ | ||
| 密度（g/cm3） | 4.64 | ||
| 硬度 | 5（mohs） | ||
| 光谱透过波长 | 0.4-2.9um | ||
| 折射率 | no=2.286 ne=2.203 （632.8nm） | ||
| 非线性系数 | d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 （pmv-1） | ||
| 电光系数 | γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，（pmv-1） | ||
| 光学损坏阈 | 250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec. | ||
| 光谱透过范围 透过率 | 370～5000nm >68% （632.8nm） | ||
| 热膨胀系数 | a11=15.4×10E-6/k，a33=7.5×10E-6/k | ||
| 吸收损耗 | @ 1064 nm < 0.1 %/cm | ||
| 产品规格 | |||
| 尺寸 | 任何等于或小于Ø4″ | 表面质量 | 10/5或者20/10 |
| 尺寸公差 | ±0.1mm | 平 面 度 | L/8（632.8nm） |
| 倒 角 | 小于0.5mm，45 º±5 º | 镀 膜 | R<0.2-0.5%（1064nm） |
| 晶向精度 | ±0.3° | 波前畸变 | L/6（633nm） |
| 平 行 度 | <30" | 消 光 比 | >400:1(633nm)φ6mm光束 |
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
