主要性能参数

生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数

a=5.65754 Å

密 度

5.323g/cm3

熔点

937.4℃

掺杂物质

不掺杂

掺Sb

掺Ga

类型

/

N

P

电阻率

＞35Ω.cm

0.01~35 Ω.cm

0.05~35 Ω.cm

EPD

＜4×10E3∕cm2

＜4×10E3∕cm2

＜4×10E3∕cm2

尺寸

10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

Dia50.8 mm ,dia76.2mm, Dia100 mm

厚度

0.5mm，1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<100>、<110>、<111>、±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:

≤5Å（5µm×5µm）

包装

100级洁净袋，1000级超净室