微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部

产品中心

技术参数

  Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。

主要性能参数

晶体结构

面心立方

熔点(℃)

1420

密度

2.4(g/cm3)

掺杂物质

不掺杂

掺B

掺P

类 型

I

P

N

电 阻 率

>1000Ωcm

10E-3~100Ωcm

10E-3~100Ωcm

E P D

≤100∕cm2

≤100∕cm2

≤100∕cm2

氧含量(∕cm3)

≤1~1.8×10E18

≤1~1.8×10E18

≤1~1.8×10E18

碳含量(∕cm3)

≤5×10E16

≤5×10E16

≤5×10E16

尺寸

10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm,

Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片

厚度

0.5mm、1.0mm

尺寸公差

<±0.1mm

厚度公差

<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)

抛光

单面或双面

晶面定向精度

±0.5°

边缘定向精度

2°(特殊要求可达到1°以内)

取向

<100>、<110>、<111>等

包装

100级洁净袋,1000级超净室

配件详情: