氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
主要性能参数 | |
晶体结构 | 六方 |
晶格常数 | a=3.252Å c=5.313 Å |
密度 | 5.7(g/cm3) |
生长方法 | 水热法 |
硬度 | 4(mohs) |
熔点 | 1975℃ |
热膨胀系数 | 6.5 x 10E-6 /℃//a 3.7 x 10E-6 /℃//c |
热 容 | 0.125 cal /g.m |
热电常数 | 1200 mv/k @ 300 ℃ |
热 导 | 0.006 cal/cm/k |
透过范围 | 0.4-5um |
晶向 | <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º |
尺寸(mm) | 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底 |
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A |
抛光 | 单面或双面 |
包装 | 100级洁净袋,1000级超净室 |