主要性能参数

单晶

掺杂

导电类型

载流子浓度cm-3

位错密度cm-2

生长方法

最大尺寸

标准基片

GaAs

None

Si

/

<5×10E5

LEC

HB

Dia4″

Dia4″×0.525

Dia2″×0.35

Si

N

>5×10E17

Fe

N

~2×10E18

Zn

P

>5×10E17

尺寸（mm）

Dia4"，Dia2" 25×25mm、10×10mm、10×5mm、5×5mm

可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋，1000级超净室