微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部

掺钇氧化锆(YSZ)

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技术参数

  氧化锆(ZrO2)单晶基片是最早呗开发应用的高温超导基片之一。由于ZrO2 需掺入钇(Y)以稳定结构,一般实际使用的是YSZ单晶---加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低,特别适于用在是阳性薄膜制备工作中。

主要性能参数

晶体结构

立方

晶格常数

a=5.147 Å

熔点(℃)

2700

密度(g/cm3)

6.0

硬度

8-8.5(mohs)

纯度

99.99%

热膨胀系数(/℃)

10.3×10-6

介电常数

ε=27

生长方法

弧熔法

   

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm

厚度

0.5mm,1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达1°以内)

斜切晶片

可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5Å(5µm×5µm)

   

包装

100级洁净袋,1000级超净室

配件详情: