上海中科神光光电产业有限公司
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SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )

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技术参数

主要性能参数

生长方法

籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)

晶体结构

六方

晶格常数

a=3.08 Å c=15.08 Å

方向

<0001>或 <0001>4 º

带隙

2.93 eV (间接)

硬度

9.2(mohs)

热传导@300K

5 W/ cm.k

介电常数

e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

Dia2”, Dia4”

厚度

0.33mm,0.35mm或者按照客户要求定做

抛光

单面或双面

晶向

<0001>±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达1°以内)

Ra:

≤5Å(5µm×5µm)

   

包装

100级洁净袋,1000级超净室

配件详情: