酸锂单晶对GaN晶格匹配非常好,因而成为潜在的III-V族氮化物薄膜衬底材料。
主要性能参数 | |
晶体结构 | 四方 |
晶格常数 | a=5.17 A c=6.26 A |
熔点(℃) | 1900 |
密度 | 2.62(g/cm3) |
硬度 | 7.5(mohs) |
与GaN失配率<001> | 1.4% |
尺寸 | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, |
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″ | |
厚度 | 0.5mm,1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
晶向 | <100>或<001> |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°(特殊要求可达1°以内) |
Ra: | ≤5Å(5µm×5µm) |
包装 | 100级洁净袋,1000级超净室 |