上海中科神光光电产业有限公司
光电材料事业部
Si 用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。
| 主要性能参数 | |||
| 晶体结构 | 面心立方 | ||
| 熔点（℃） | 1420 | ||
| 密度 | 2.4（g/cm3） | ||
| 掺杂物质 | 不掺杂 | 掺B | 掺P |
| 类 型 | I | P | N |
| 电 阻 率 | Ø 1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 10-3~40Ωcm |
| E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
| 氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
| 碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
| 尺寸 | 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm, Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 | ||
| 厚度 | 0.5mm、1.0mm | ||
| 尺寸公差 | <±0.1mm | ||
| 厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） | ||
| 抛光 | 单面或双面 | ||
| 晶面定向精度 | ±0.5° | ||
| 边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
| 取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
