上海中科神光光电产业有限公司
光电材料事业部
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
| 主要性能参数 | |||||||
| 单晶 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度 cm-3 | 迁移率(cm2/V.s) | 位错密度(cm-2) | 标准基片 | |
| InP | 本征 | N | (0.4-2)´10E16 | (3.5-4)´10E3 | <5*10E4 | Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm | |
| InP | S | N | (0.8-3)´10E18 (4-6)´10E18 | (2.0-2.4)´10E3 (1.3-1.6)´10E3 | <3*10E4 <2*10E | Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm | |
| InP | Zn | P | (0.6-2) ´10E18 | 70-90 | <2*10E4 | Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm | |
| InP | Te | N | 10E7-10E8 | ~2000 | <3*10E4 | Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm | |
| 尺寸（mm） | Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | ||||||
| 表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A | ||||||
| 抛光 | 单面或双面 | ||||||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||||||
| 晶体 | 结构 | 晶向 | 熔点 oC | 密度 g/cm3 | 禁带宽度 | |
| InP | 立方, a=5.869 A | <100> | 1600 | 4.79 | 1.344 | |
